بخش نیمه هادی سامسونگ Foundry اعلام کرد که تولید تراشه های 3 نانومتری را در کارخانه خود در Hwasong آغاز کرده است. برخلاف نسل قبلی که از فناوری FinFet استفاده می کرد، غول کره ای اکنون از معماری ترانزیستوری GAA (Gate-All-Around) استفاده می کند که بهره وری انرژی را به میزان قابل توجهی افزایش می دهد.
تراشه‌های 3 نانومتری با معماری MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA با کاهش ولتاژ تغذیه، بازده انرژی بالاتری را به دست خواهند آورد. سامسونگ همچنین از ترانزیستورهای نانو صفحه در تراشه های نیمه هادی برای چیپست های گوشی های هوشمند با کارایی بالا استفاده می کند.
گالری عکس
در مقایسه با فناوری نانوسیم، نانوصفحات با کانال‌های گسترده‌تر، عملکرد بالاتر و کارایی بهتری را ممکن می‌سازند. با تنظیم عرض نانوصفحات، مشتریان سامسونگ می توانند عملکرد و مصرف انرژی را مطابق با نیازهای خود تنظیم کنند.
شما می توانید علاقه مند شوید
به گفته سامسونگ، در مقایسه با تراشه‌های 5 نانومتری، تراشه‌های جدید 23 درصد عملکرد بالاتر، 45 درصد مصرف انرژی کمتر و 16 درصد مساحت کوچکتر دارند. نسل دوم آنها باید 2٪ عملکرد بهتر، 30٪ بازده بالاتر و 50٪ مساحت کوچکتر ارائه دهد.
سامسونگ به سرعت در حال رشد است زیرا ما همچنان به نشان دادن رهبری در کاربرد فناوری های نسل بعدی در تولید ادامه می دهیم. هدف ما ادامه این رهبری با اولین فرآیند 3 نانومتری با معماری MBCFETTM است. ما به نوآوری فعالانه در پیشرفت های فناوری رقابتی و ایجاد فرآیندهایی که به تسریع دستیابی به بلوغ فناوری کمک می کند، ادامه خواهیم داد. سیونگ چوی، رئیس تجارت نیمه هادی سامسونگ گفت.
