سامسونگ مدتی است که در تلاش است تا به رقیب اصلی خود در زمینه تولید نیمه هادی ها یعنی غول تایوانی TSMC برسد. سال گذشته، بخش نیمه هادی سامسونگ Foundry اعلام کرد که تولید تراشه های 3 نانومتری را در اواسط سال جاری و تراشه های 2025 نانومتری را در سال 2 آغاز خواهد کرد. اکنون TSMC برنامه تولید تراشه های 3 و 2 نانومتری خود را نیز اعلام کرده است.
گالری عکس
TSMC فاش کرده است که تولید انبوه اولین تراشه های 3 نانومتری خود (با استفاده از فناوری N3) را در نیمه دوم سال جاری آغاز خواهد کرد. انتظار می رود تراشه های ساخته شده بر روی فرآیند جدید 3 نانومتری اوایل سال آینده عرضه شوند. غول نیمه هادی قصد دارد تولید تراشه های 2 نانومتری را در سال 2025 آغاز کند. علاوه بر این، TSMC از فناوری GAA FET (ترانزیستور اثر میدانی در همه اطراف) برای تراشه های 2 نانومتری خود استفاده خواهد کرد. سامسونگ همچنین از این مورد برای تراشه های 3 نانومتری خود استفاده خواهد کرد که در اواخر امسال شروع به تولید آنها خواهد کرد. انتظار می رود این فناوری پیشرفت های قابل توجهی در بهره وری انرژی به همراه داشته باشد.
شما می توانید علاقه مند شوید
فرآیندهای تولید پیشرفته TSMC می تواند توسط بازیگران اصلی فناوری مانند Apple، AMD، Nvidia یا MediaTek. با این حال، برخی از آنها می توانند از ریخته گری سامسونگ برای برخی از تراشه های خود نیز استفاده کنند.
