پراگ، 20 مارس 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd.، پیشرو جهانی در فناوری حافظه پیشرفته، فضای ذخیره سازی 128 گیگابایتی 3 بیتی NAND با کارایی بالا را برای دستگاه های تلفن همراه معرفی می کند که بر اساس فناوری چند رسانه ای جاسازی شده است.Card (eMMC) 5.0. پرچمداران در میان گوشی های هوشمند در حال حاضر به حافظه 128 گیگابایتی بر اساس استانداردهای Universal Flash Storage (UFS) 2.0 یا EMMC 5.1 تغییر می کنند. به همین ترتیب، حتی تلفن های هوشمند میان رده هم اکنون می توانند ظرفیت خود را افزایش دهند 128 GB با تشکر از مخزن جدید سامسونگ 3 بیت NAND eMMC 5.0. این چیپ حافظه دارد بزرگترین ظرفیت در استاندارد eMMC 5.0
با راه‌اندازی سری 3 بیتی eMMC 5.0 مبتنی بر NAND، انتظار داریم راه را در گسترش فضای ذخیره‌سازی تلفن همراه با ظرفیت بالا پیش ببریم. ما همچنان به توسعه حافظه تلفن همراه خود با عملکرد بهبودیافته و ظرفیت بالاتر برای پاسخگویی به تقاضای رو به رشد مشتریان در سراسر صنعت تلفن همراه ادامه می دهیم. گفت دکتر Jung-Bae Lee، معاون ارشد تیم برنامه ریزی محصول حافظه و مهندسی برنامه در سامسونگ الکترونیکس.
خواندن متوالی داده های ذخیره سازی 128 گیگابایتی eMMC 5.0 سامسونگ با سرعت اجرا می شود 260 MB / s و. این همان عملکرد حافظه MLC eMMC 5.1 مبتنی بر NAND است. عملکرد خواندن و نوشتن تصادفی je 6000 IOPS، احترام 5000 IOPS، که برای پشتیبانی از ویدیوهای با کیفیت بالا و عملکردهای چندوظیفه ای پیشرفته به اندازه کافی سریع است. در مقایسه با کارت‌های حافظه خارجی، سرعت خواندن و نوشتن تقریباً برابر است 4 دفعه a 10 برابر بالاتر.
سری جدید 3bit eMMC 5.0 کسب و کار سامسونگ را از عرضه SSD برای مراکز داده، سرورها و رایانه ها به کل بازار ذخیره سازی تلفن همراه گسترش می دهد. سامسونگ به معرفی حافظه های فلش 3 بیتی NAND از طریق توسعه راه حل های با کارایی بالا و ظرفیت بالا و همچنین تقویت رقابت در تجارت فناوری حافظه خود ادامه خواهد داد.
//
//
