سامسونگ امروز تولید انبوه ماژول های DDR3 DRAM جدید خود را با استفاده از فرآیند ساخت 20 نانومتری آغاز کرد. ظرفیت این ماژول های جدید 4 گیگابیت، یعنی 512 مگابایت است. با این حال، حافظه موجود تک تک ماژول ها ویژگی اصلی آنها نیست. پیشرفت دقیقاً در استفاده از یک فرآیند تولید جدید نهفته است که منجر به مصرف انرژی تا 25 درصد کمتر در مقایسه با فرآیند قدیمی 25 نانومتری می شود.
حرکت به سمت فناوری 20 نانومتری نیز آخرین مرحله ای است که شرکت را از شروع تولید ماژول های حافظه با استفاده از فرآیند 10 نانومتری جدا می کند. فناوری که در حال حاضر برای ماژول‌های جدید استفاده می‌شود نیز پیشرفته‌ترین فناوری موجود در بازار است و نه تنها با رایانه‌ها، بلکه در دستگاه‌های تلفن همراه نیز قابل استفاده است. برای رایانه ها، این بدان معناست که سامسونگ اکنون می تواند تراشه هایی با همان اندازه، اما با حافظه عملیاتی بسیار بزرگتر ایجاد کند. سامسونگ همچنین مجبور شد فناوری موجود خود را تغییر دهد تا بتواند تراشه ها را کوچکتر کند و در عین حال روش تولید فعلی را حفظ کند.
- شما ممکن است علاقه مند باشید: سامسونگ اولین حافظه DRAM موبایل 8 گیگابایتی LPDDR4 را توسعه داده است
